SDRAM funciona de manera totalmente diferente a FPM o EDO. DRAM FPM y EDO transmiten los datos mediante señales de control, el la memoria SDRAM el acceso a los datos esta sincronizado con una señal de reloj externa.Este documento informa sobre la memoria DRAM y el funcionamiento de las distintas tecnologias actualmente en uso.
"DRAM" es el acrónimo de "Dynamic Random Access Memory". "Dynamic" indica la necesidad de "recordar" los datos a la memoria cada cortos periodos de tiempo para impedir que esta pierda la información. Eso se llama Refresco. Cuando se pierde la alimentación la memoria pierde todos los datos. "Random Access" indica que cada posicion de memoria puede ser leida o escrita en cualquier orden. Lo contrario seria el acceso secuencial, en el cual los datos tienen que ser leidos o escritos en un orden predeterminado. Por ejemplo, un disco usa el acceso aleatorio, mientra que una cinta de casette usa un acesso secuencial.
Las posiciones de memoria estan organizadas en filas y columnas. Cuando accedemos a la RAM empezamos especificando la fila, despues la columna y por último decimos si deseamos escribir o leer en esa posicion. En ese momento la RAM pone los datos de esa posicion en la salida si el acceso es de lectura o coge los datos y los almacena en la posicion seleccionada si el acceso es de escritura.Fast Page Mode (FPM) DRAMs
Las memorias de página rápida son las más usadas actualmente. Son capaces de trabajar más rápidamente que las memorias de la tecnologia anterior.
Para acceder a este tipo de memoria se debe especificar la fila (página) y seguídamente la columna. Para los sucesivos accesos de la misma fila solo es necesario especificar la columna quedando la columna seleccionada desde el primer acceso. Esto acce que el tiempo de acceso en la misma fila (página) sea mucho más rápido.
JEDEC, agencia americana de estandares electrónicos, es la que especifica el estandar de este tipo de memoria.Extended Data Out (EDO) DRAMs
La memoria de salida de datos extendida es más rapida que la memoria FPM. La ventaja de la memoria EDO es que mantienen los datos en la salida hasta el siguiente acceso a memoria. Esto permite al procesador ocuparse de otras tareas sin tener que atender a la lenta memoria. Esto es, el procesador selecciona la posición de memoria, realiza otras tareas y cuando vuelva a consultar la DRAM los datos en la salida seguirán siendo válidos. JEDEC tiene la especifición de este tipo de memoria.Synchronous DRAM (SDRAM)
Con la introducción de procesadores más rápidos, las tecnologías FPM y EDO han empezado a ser un cuello de botella. La memoria más eficiente es la que trabaja a la misma velocidad que el procesador. Las velocidades de la DRAM FPM y EDO son de 80, 70 y 60 ns, lo cual es suficientemente rápido para velocidades inferiores a 66MHz. JEDEC, consecuentemente, ha desarrollado un nuevo estandar: La memoria síncrona.
SDRAM funciona de manera totalmente diferente a FPM o EDO. DRAM FPM y EDO transmiten los datos mediante señales de control, el la memoria SDRAM el acceso a los datos esta sincronizado con una señal de reloj externa.
El rendimiento de las memorias FPM y EDO se mide en nanosegundos y es el tiempo que tarda en responder la memoria. En la memoria SDRAM el rendimiento se mide en MHz y es la velocidad máxima de reloj que soportan. Esta velocidad puede llegar a ser de 100 Mhz.
Para poder trabajar a velocidades de 100MHz, la SDRAM esta constituida en dos bancos independientes. Esto permite que mientras a un banco está accediendo a la posición de memoria el otro banco, simultaneamente, esté seleccionando la posición siguiente.Conclusión
Para procesadores lentos, por ejemplo el 486, la memoria FPM es suficiente. Con procesadores más rápidos, como los Pentium, debemos usar memoria EDO. Con los últimos procesadores Pentium, la memoria SDRAM es la mejor solución.